本文基于4H-SiC同质外延红外反射谱,研究了材料厚度的测试方法。根据传统的红外干涉法,并结合SiC材料特有的介电常数模型,本论文改进了传统的测试方法。测试结果显示,测试的相对误差已经由原来的9.2%降低到现在的0.26%。本文还研究了附加相移对于SiC厚度测试的影响,结果表明,附加相移的影响随材料厚度的减小而增大,但是由于该影响主要存在于纳米级,所以当材料厚度为微米级或是更大时,附加相移的影响是可以忽略的。在改进传统算法的过程中,本文依据厚度对干涉条纹级数的影响,提出了通过拟合条纹级数差来求解材料厚度的近似线性拟合算法,拟合算法所求出的结果和前面改进算法的结果非常接近。结合多重光束干涉叠加算法和4H-SiC材料介电常数理论,本文完成了对红外反射谱的全域拟合,并通过全域拟合同时求出外延层和衬底的载流子浓度和迁移率。本文最后研究了FTIR技术在Si衬底3C-SiC异质外延中的应用,虽然提取了外延厚度参数,但是由于等离子体振子频率始终无法达到稳定,所以最终未能提取材料的载流子浓度和迁移率。本文分析了造成这一现象的可能原因,具体原因还需进一步工作来验证。