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近年来,便携式的信息通信设备被广泛应用到实际生活中,这使得电子产品向着微型化方向发展,而SAW器件是实现微型化的关键器件。另外,随着低频段的通信逐渐变得拥堵,高频化是现在通信技术的发展趋势,这使得高频率、大功率的SAW滤波器越来越受设计者的青睐。本论文首先设计一系列的实验对BN薄膜的工艺进行优化,例如:生长功率,脉冲偏压,退火温度等,得到了明显的变化规律并成功制备出立方含量高达95%的BN薄膜。紧接着对Al N的工艺进行了优化,包括生长压强和靶基距,生长出了(002)择优取向的AlN薄膜。然后制备基于BN薄膜的ZnO/BN叠层结构和AlN/BN叠层结构,制备总厚度相同但层数不同的叠层结构,通过PFM对其压电性进行测试,得出2层结构的ZnO/BN薄膜压电性能最强。根据刚度矩阵模拟BN厚度和ZnO厚度对传播速度V以及机电耦合系数K2的影响,得到了明显的变化规律。根据模拟结果选定BN厚度为0.1λ,ZnO厚度为0.17λ。根据导纳矩阵求出器件的S参数,利用Matlab编程模拟了IDT参数对回波损耗RLoss和传播损耗PLoss的影响,为后续IDT的设计提供了参考。最终,结合实验以及模拟结果,分别基于Si衬底和Diamond衬底制备出了ZnO/BN多层膜结构SAW滤波器,ZnO/BN/Si多层膜结构的SAW滤波器的测试结果很好的验证了模拟计算结果。ZnO/BN/Diamond多层膜结构则实现了1.23GHz的高频率。本论文重点是基于BN叠层结构(ZnO/BN和AlN/BN)的设计,采用实验结合模拟的方法设计和构建SAW滤波器,模拟指导实验,实验验证模拟。在本论文中提高BN薄膜中c-BN含量至94.8%,实现Al N薄膜(002)择优取向,所制备的叠层结构压电性均匀一致;模拟了ZnO/BN多层结构的BN薄膜和ZnO薄膜厚度以及叉指参数。最终实验结果与模拟的结果相互验证。通过本论文的相关实验研究,将有助于BN薄膜在SAW器件制备中的应用,有利于提高SAW器件的频率和稳定性,同时为SAW器件的模拟与实验相结合提供了相关经验。