随着半导体制造技术的不断发展，在较先进制程中铜线已经逐步替代铝线成为金属布线的主要材料，与此同时，铜大马士革结构的广泛应用也大大减少钨通孔的使用，但钨接触孔无论对于铝布线还是铜布线来说都是不可或缺的，所以作为第一层金属与器件有源区的连接孔，钨接触孔的性能对整个布线系统显得尤为重要。而决定钨接触孔性能的主要指标是填洞能力，也就是接触孔中间的空隙大小，空隙过大除了会影响电性，还会导致铜扩散缺陷。PNL即脉冲成核层，CVD为化学气相沉积薄膜工艺，本课题讨论的就是PNL-WCVD的填洞能力，以改善钨插塞填洞能力为研究目标。首先与传统的两种常用的WCVD机台作比较(诺发和应用材料传统WCVD)，总结出PNL-WCVD淀积薄膜的特性与优势。再通过研究当前WCVD填洞的主要缺陷，进一步改进PNL-WCVD工艺参数设定为主要手段，有效的减小接触孔中间空隙，最终找出能预防铜扩散缺陷的解决方案。