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含N’N-二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理
为了研究含N’N-二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理,采用线性伏安法、循环电压电流溶出法(CVS)、扫描电镜(SEM)以及XRD测量法......
期刊
微电铸工艺
N’N-二乙基硫脲
活性极化
电化学行为
填洞能力
micro-electroplating process N' N-diethylthioure
PNL-WCVD工艺之填洞能力研究与改善
随着半导体制造技术的不断发展,在较先进制程中铜线已经逐步替代铝线成为金属布线的主要材料,与此同时,铜大马士革结构的广泛应用也大......
学位
PNL-WCVD
接触孔
填洞能力
空隙
铜扩散缺陷
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