【摘 要】
：
当栅控二极管处于正向小偏压时,与界面或者体陷阱有关的产生-复合(R-G)电流贡献将超过扩散电流成为总电流主要的组成部分.通过对栅偏压的控制,可以激活或者屏蔽R-G电流的贡献
论文部分内容阅读
当栅控二极管处于正向小偏压时,与界面或者体陷阱有关的产生-复合(R-G)电流贡献将超过扩散电流成为总电流主要的组成部分.通过对栅偏压的控制,可以激活或者屏蔽R-G电流的贡献,使得测量得到的二极管电流随着栅偏压的变化呈现明显的峰值,该峰值直接反应了界面陷阱密度的大小.该论文从以上基本理论出发,对利用栅控二极管R-G电流方法表征SOIMOS管界面状况的原理、方法进行了细致的讨论.Dessis的模拟结果和实验结果都证实了该方法的可行性.在此基础上,讨论了器件结构参数和界面参数对R-G电流的影响,并通过敏感性分析的方法对这些参数的影响程度做了细致的研究.
其他文献
古地磁测量表明,中国新近系保德阶界线层型,山西保德冀家沟剖面记录了12个正极性段与11个负极性段.上部黄土显示了正极性与负极性,记录了松山负反极性带的-部分;红色黏土与砂
该文针对探地雷达及地震勘探中的一些关键问题结合小波变换的特点进行研究.
基因组DNA易受到外界环境和自身内部因素的影响而造成损伤，但大多数的DNA损伤都能被多种DNA损伤修复途径识别和修复，如碱基损伤可被碱基切除修复(BER)、错配修复(MMR)、核苷酸
近年来，急性疱疹病毒性鲫（Carassius auratus）鳃出血病的爆发给中国鲫养殖场造成了严重的损失，本论文以鲫为研究对象，对其肝、脾、肾、鳃及头肾进行组织病理观察及免疫组化检测分
SOI(Silicon-On-Insulator)CMOS技术在RFIC(RadioFrequencyIntegratedCircuits)中应用和体硅CMOS技术相比有着低功耗,高速度,良好的隔离度和线性度以及能够形成高品质的无源
网页信息呈现方式在信息传输与用户行为之间起着重要的纽带作用,能影响用户的决策和行为,其研究吸引了大量学者的关注。根据学者们的相关研究结果,分析图片和文字不同信息呈
该论文的主要研究内容是设计非接触式IC卡射频接口电路和控制电路.首先,该论文介绍了非接触式IC卡的学术背景、意义及国内外的研究现状.重点介绍了非接触式IC卡的应用领域,和
当MOSFET进入超深亚微米尺度以后,在器件参数的选取上逐渐逼近其物理极限,进一步缩小MOSFET遇到了一系列的困难;在器件物理、器件结构以及器件的模型和模拟等方面出现了许多
该文分析了EmbeddedSRAM和CAM不能作为SoC中大容量存储器的原因以及独立DRAM中的特殊结构和所用到的特殊工艺,并在此基础上介绍了EmbeddedDRAM的概念和基本原理.结合up建库的
该论文的资助来源为国家自然科学基金:69772034,原邮电部重点科研基金;国家自然科学基金:6997707,教育部优秀青年教师基金以及华融科技公司资助.论文的主要工作如下,其中下划