自从在具有钙钛矿结构的锰基氧化物中发现超巨磁阻（CMR）效应以来，这类化合物具有的特性引起了人们广泛的关注，对这类材料的研究已成为凝聚态物理学和电子科学的前沿领域之一。本文选择真空退火作为基本出发点，研究La_0.70Ca_0.30MnO₃薄膜的特性，主要从以下几个方面来探讨：简要介绍了钙钛矿锰氧化物的研究背景及其应用前景。研究了采用脉冲激光沉积法在（LaAlO₃）_0.3（Sr₂AlTaO₆）_0.7（铝酸镧·钽酸锶铝）（001）衬底上制备薄膜，并在不同温度及氧压条件下对脉冲激光烧蚀生成的La_0.70Ca_0.30MnO₃（LCMO）薄膜进行真空退火的实验方法。XRD的研究结果表明，在700℃左右生成的LCMO薄膜具有较好的外延结构特征，薄膜和基片具有一致的晶格取向，为薄膜退火提供了实验参考。系统研究了LCMO薄膜的金属-半导体电阻-温度（R-T）特性曲线、转变温度。真空退火处理可有效改变LCMO薄膜的氧含量和Mn⁴⁺／Mn³⁺比。而LCMO薄膜的电阻-温度关系强烈依赖于薄膜的氧含量和Mn⁴⁺／Mn³⁺比。随退火温度的降低，LCMO薄膜的氧含量逐渐增大，Mn⁴⁺／Mn³⁺比逐渐增大，从而使薄膜电阻值降低。在300-600℃及2×10^-4-1×10^-3Torr的氧压下，对脉冲激光烧蚀生成的LCMO薄膜进行退火。原位退火温度为600℃、500℃、400℃，处理后的LCMO薄膜的T_p（金属-绝缘体转变温度）分别出现在170K、193K和211K。而异位退火温度为500℃、400℃、300℃，处理后的LCMO薄膜的T_p分别出现在179K、181K和237K。说明无论原位或异位退火处理的LCMO薄膜，其金属-半导体电阻-温度（R-T）特性曲线及转变温度均会发生明显的改变，薄膜氧含量对其输运特性有突出的影响，真空退火处理可明显降低LCMO薄膜的T_p。