集成电路元器件测试中,各种失效机制的研究是业内普遍关注的问题,是提高良品率、降低成本的前提。本文通过对charge-pump及MOSFET测试失效机理以及由工艺缺陷所引起的失效机制的分析,提出了测试所需要采取的控制措施。通过数据采集及失效分布分析来制定失效控制线,扣留低良率批次。对测试机精度进行统计分布控制以监督测试的准确性,在测试站进行“防呆措施”的设置,分析测试中所发现的失效以反映各站工艺缺陷。并介绍了相关软件以帮助简化繁琐庞大的数据采集工作。通过以上措施,建立数据采集系统及分析流程,最大程度避免不良器件的流出,使测试成为各工艺站点提高工艺水平的重要数据来源,失效控制工作得到了客户的认可。本论文提出的测试失效控制方法同样适用于其它集成电路及分立器件测试领域。