槽栅相关论文
具备耐压能力强、高频性能、易集成等诸多优点的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-diffused Metal Oxide Semico......
学位
成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm,源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大......
功率半导体器件在电力电子行业有着非常广泛的应用,是电子产品的基础元器件之一。近年来,功率电子器件朝着高频、大功率的方向发展......
自上个世纪九十年代以来,AlGaN/GaN HEMT凭借着其优异的特性发展迅猛,与传统的Si器件相比,GaN HEMT可以工作在更高的频率和温度下,......
提出了一种带P型埋层的新型SOI双介质槽MOSFET。通过在SOI层底部引入P型埋层作为补偿,在耐压优化情况下增加漂移区的浓度,降低了比......
给出了槽栅 MOSFET的阈值电压解析模型 ,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律 .分析和对比结果显示 ,该模......
针对传统的槽栅SOILIGBT无法满足日益发展的智能功率集成电路对耐压性能和大电流处理能力需求的问题，文中提出了一种槽栅纵向双单元......
基于侧墙自对准和金属硅化物等VLSI先进工艺实现全自对准的多晶硅反刻及栅源金属连接，并用氮化锆（ZrN）代替二氧化硅做硬掩模，由于氮化......
本文设计了一种全自对准的槽栅IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构,其工艺简单,全套工艺只有两张光刻版,是现有IGBT工艺中最少的,而且两次......
基于流体动力学能量输运理论,对槽栅PMOSFET器件的端口特性进行了仿真研究,包括栅极特性、漏极驱动能力和抗热载流子性能等.仿真结......
设计了一种全自对准槽栅IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构,其工艺简单,全套工艺只有两张光刻版,提高了工艺成品率.它独特的IGBT沟道多重......
当集成电路工艺进入到90nm节点以后,器件的可靠性问题将成为延缓集成电路加工水平沿着Moore定律继续延伸的主要困难之一。研究已经......
作为SOI(Silicon On Insulator)功率集成电路的核心器件,SOI LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)器件因具有低功耗、易于集成......
文中提出了一种具有线性掺杂PN型降场层的槽栅LDMOS器件(LDPN TG-LDMOS),以期获得较高的击穿电压和较低的导通电阻。线性掺杂PN型......
提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，......
槽栅结构对功率绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBD的影响主要是n-漂移区的电导调制而不是对沟道电阻的改善......
随着微电子行业的发展，微处理器正在代代更新，其性能更是迅速提高（如工作频率越来越高等），这就要求其电流不断增大。同时，为了降低功耗，电......
为降低绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的导通电阻,同时提高器件击穿电压,提出了一种具有纵向漏极场板的低......
氮化镓(GaN)因其具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和速度快等优点,被广泛应用于微波器件、功率器件以及GaN数字电路等领域。近年......
学位
目前AlGaN/GaN HEMT在微波功率应用方面取得了长足的发展,并且仍然具备广阔的应用潜力可以继续发掘。AlGaN/GaN异质结具有较强的极......
第三代宽禁带半导体在高温高频大功率应用领域表现出巨大潜力，其中氮化镓（GaN）凭借着优秀的物理化学和电学性能，成为近年来发展最为迅......
实现高压和低阻是功率器件关键目标，然而，高击穿电压BV（BreakdownVoltage）需漂移区浓度低且漂移区较长，因此，比导通电阻Ron,sp（SpecificOn......
RF (Radio Frequency)功率器件在无线通讯领域中起着重要的作用。在无线通讯的高增益与窄带技术中,射频功率器件LDMOS (Lateral Di......
