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新型增强型p-GaN栅HEMT功率开关器件研究

来源 :南京理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：minister635298

【作 者】

：

郝荣晖 

【出 处】

：

南京理工大学

【发表日期】

：

2019年01期

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