为了适应现代电子封装产业中无铅化的要求,开发了Sn-Ag-Cu三元合金的电沉积体系。本文详细地研究了HEDTA体系下Sn-Ag-Cu电沉积的机理。根据Pt旋转圆盘电极上极化曲线(LSV)的研究结果,发现HEDTA可以显著地把Sn, Ag和Cu的起始沉积电位移向负电位方向,并使各个单金属沉积的LSV曲线相互靠拢。用HEDTA作为主配位剂、少量硫脲作为辅助配位剂,成功地实现了Sn-Ag-Cu共沉积,得到了接近于共晶组成的Sn-Ag-Cu电沉积层(Sn-2.5～4.2wt.%Ag-0.7～1.5wt.%Cu)。用循环伏安(CV)等方法研究了HEDTA浓度的影响。通过对不同浓度的HEDTA下镀层的观察、检测和研究发现随着HEDTA浓度的变化,镀速发生改变,结晶机理、表面形貌及结晶取向结构都发生改变。研究了适宜的HEDTA浓度范围,确定HEDTA浓度为0.6-1.2mol/L。实验研究了pH值的影响。通过对不同pH值下镀层的观察、检测和研究发现随着pH值的变化,镀速发生改变,结晶机理、表面形貌及结晶取向结构都发生改变。研究了适宜的pH值范围。在pH值为3-6左右时得到的镀层表面光亮,镀层结晶均匀细致,镀层质量较好。pH值过高或过低会出现镀层晶粒粗大等现象,影响镀层的表面形态和镀层组成,得到的镀层不理想。电结晶是电沉积的初期阶段,它对后续的沉积阶段具有很大的影响,论文采用线性扫描曲线(LSV),循环伏安曲线(CV),计时电流曲线(CA), Tafel曲线和交流阻抗曲线(EIS)等电化学方法研究了Sn-Ag-Cu的电化学行为。