随着微电子技术的不断发展,半导体辐射探测器由于位置分辨率好、能量分辨率高,线性范围宽、体积较小和脉冲响应时间较快等优点,得到了快速的发展,其在核能谱分析、环境污染测试、辐射防护、化学分析、探矿、剂量监测和核医学等领域得到了广泛的应用。　　 辐射探测器采用高阻硅材料,工作在全耗尽模式下,器件上施加较高的反向偏置电压,器件的高压保护结构是探测器的关键结构。本文对辐射探测器的高压保护问题进行了研究。论文首先对高阻硅衬底的PIN探测器的高压保护结构包括场板和场限环进行了数值模拟,研究了氧化层电荷、场板长度、场限环结构参数与器件击穿电压的关系。对于氧化层电荷,其与器件的击穿电压呈负相关；对于场板,器件的击穿电压随其长度的增加而显著增加,场板长度超过一定值后,击穿电压增加有限；对于场限环,则存在一个最优场限环结构参数范围,使得其具备最优的抗击穿特性。在模拟研究的基础上,本文通过实验制备了一系列具有不同场板长度和不同场限环结构参数的PIN探测器,并对其进行了高压I-V特性测试,测试结果验证了模拟研究的结论。论文通过模拟和实验研究得到了基于高阻硅的场板和场限环结构的优化设计参数。　　 在基本结构研究的基础上,本文开展了对厚PIN探测器、条形阵列漂移探测器、圆环形硅漂移探测器和螺旋形硅漂移探测器的结构研究,优化了探测器结构的高压保护设计,并对圆环形硅漂移探测器和螺旋形硅漂移探测器进行了不同结构的版图设计,并设计了硅漂移探测器的制作工艺流程。