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金属锑化物特别是Ⅲ-Ⅴ金属锑化物已被广泛应用于高速光电子器件、红外光电探测器、热电转换、光伏/太阳能发电、电催化以及锂/钠离子电池电极材料等领域,并且表现出优异的物理化学性能和广泛的应用前景。锑化铟(InSb)为典型的四配位化合物,具有闪锌矿结构,是重要的窄带半导体材料。InSb不仅可以用于制作高性能的远红外光电探测器件,而且还可以利用其具有霍耳和磁阻等效应制作相应的电子和光电子器件。众所周知,材料的尺寸、结构、甚至形状对其性质均会产生重要的影响,低维纳米材料所展现的光学和电学等性质与其相对应的块体