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目前,显示技术的突飞猛进,传统的材料如非晶硅由于其透光性差,迁移率低等问题已无法满足人们对显示的高需求。寻找可代替非晶硅的新材料成为研究人员发展显示技术的新方向,其中非晶铟镓锌氧化物(amorphous-Indium-Gallium-Zinc Oxide,a-IGZ O)材料就是显示技术领域发展的新产物。与传统的非晶硅相比,非晶氧化铟镓锌具有迁移率、均匀性好、在可见光范围内有高透光率、在柔性衬底上可以利用低温工艺进行大面积制备等特点,这些优势使得a-IGZO薄膜晶体管(TFT)在传感器、柔性电子器件、以及高分辨率平板显示器方面有着广泛应用其前景。但是由于a-IGZO材料由于稳定性不高无法投入到大规模的生产和应用当中,为了解决这一问题,研究学者提出了双有源层结构的非晶氧化物a-IZO/IGZO TFT。本文在此基础上,考虑到a-IZO和a-IGZO导电类型相同,都为n型,并且具有不同的电子亲和势和带隙,接触后会形成同型异质结构,利用仿真软件SILVACO TCAD对双有源层异质结构a-IZO/IGZO的性能进行了仿真和优化。论文主要工作分为三个部分。首先是对非晶氧化物薄膜晶体管的光学特性、电学特性进行分析,同时介绍了a-IGZO TFT的导电机制和器件仿真的仿真环境。其次,通过SILVACO软件当中的ATLAS仿真模块建立异质结构a-IZO/IGZO TFT的器件模型和态密度模型,并对不同有源层厚度比下的器件特性进行仿真对比,通过改变氧空位态密度模型参数研究氧空位态密度峰值、标准差以及平均能量对器件电学性能的影响,仿真发现当有源层厚度比a-IZO:a-IGZO=20:20时器件性能达到最优,前沟道a-IZO氧空位态参数的改变对器件几乎没有影响,而背沟道a-IGZO氧空位态参数是影响器件特性的关键。最后,考虑到有源层异质结界面态会对器件产生影响,而这一点很少有研究学者进行讨论,所以通过建立界面态模型,将其加入到器件模型当中,对比研究有无界面态情况下a-IZO/IGZO TFT的具体变化,以及界面态密度参数的改变对器件特性的影响。通过仿真发现界面态的存在会使阈值电压和亚阈值摆幅增大,降低器件的性能,在a-IZO厚度为5 nm时对器件的影响最大,界面态密度参数中的界面受主尾态密度和特征斜率的改变会影响到器件的电学特性。