基于SoC的基带芯片LTE低功耗设计与验证

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随着移动互联网时代的到来,智能手机等便携式电子设备越来越受到人们的青睐,并且这类便携式移动终端对人们的生活已经产生了巨大的影响。LTE(Long Term Evolution,LTE)作为智能手机基带芯片通信最为重要的一部分,它的主要功能是提升网络数据传输能力,完成用户和基站之间的数据同步、调制解调等。而随着智能手机的发展和应用功能的增加,手机功耗日益增大,因此功耗成为手机发展中必须要解决的问题。LTE基带芯片作为2G、3G基带芯片发展的下一代产物,它的集成度很高,逻辑门复杂,因此LTE基带芯片的低功耗设计就成为基带芯片低功耗问题中十分重要的方面。为了降低基带芯片的功耗,本文针对基带芯片的LTE子系统进行了系统级低功耗设计、验证、测试等工作。本文在动态电压频率管理和门控电源等技术基础上,从实际出发,重点在手机基带芯片的系统级层面进行低功耗设计,设计了LTE整个低功耗控制中不同工作状态的具体实现,从而提出一种可应用于手机基带芯片的系统级低功耗方法。在设计完成LTE子系统不同的工作模式时,对深睡眠到唤醒,浅睡眠到唤醒,上电到断电的具体设计和工作过程进行了详细的设计和阐述。对LTE子系统在不同状态下时钟、电源等进行严格的时序控制,LTE子系统采用状态机控制工作状态与休眠状态之间的安全切换以来保证在睡眠的时候不会出现假死,在唤醒的时候不会丢失数据等错误的运行行为。并对深睡眠下数据保存和恢复的两种模式进行了设计,在外部保存模式中,深睡眠的时候选择关闭内存,在深睡眠之前把数据搬运到外部存储来进行数据保存,在唤醒之后又搬运回来;在内部模式中,让内存处于保持状态,仅仅维持记忆功能,保证数据不会丢失。在完成设计之后对LTE子系统进行了硅前验证和硅后测试。在硅前验证中对LTE不同低功耗的设计通过软件模拟LTE子系统的应用场景,对上电断电,浅睡眠到唤醒,深睡眠到唤醒,深睡眠下数据保存的不同方式进行了仿真与波形分析,在RTL级验证了LTE子系统设计方案与预期一致。硅后利用Trace32、劳特巴赫、Matlab、PCBA板子等进行自动化测试,在电压不变的情况对LTE子系统不同模式下的电流值进行测试,并与硅前的测试数据进行对比,保证测试的正确性;接着对芯片进行了电压测试,根据电流,电压与功耗的关系计算出不同模式下的功耗,得出了该设计方案使基带芯片总体功耗降低了百分之十左右。
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