金属材料Mo具有高熔点、高反射率的特性,因此作为核聚变装置中第一镜的备选材料。由于长期处于等离子体的工作环境中,杂质沉积污染造成材料表面损伤,导致其寿命短;半导体材料Si因其良好的热敏性、导电性,被用于芯片制作。但其生产工艺中引入的污染物很难清洗,导致良品率降低。国际上的研究人员大多采用CCP、ICP等离子体清洗Mo、Si上沉积污染物,螺旋波等离子体具有更高的电离度,但螺旋波等离子体清洗Mo、Si污染物的研究还处于一片空白。因此本文围绕螺旋波等离子体去除Mo、Si材料表面碳污染物展开研究,其中工作内容包括:自主搭建螺旋波等离子体源,且对螺旋波等离子体特性展开了基础研究,为获取高密度螺旋波等离子体去除污染物,研究了压强、磁场对螺旋波等离子体密度的影响,得到结论如下,在一定范围内气压越强,等离子体密度越低,且气压的增强会使等离子体放电提前进入螺旋波放电模式。同样,磁场越强,等离子体密度越高。当等离子体进入螺旋波放电模式时,等离子体密度会比电感模式放电时要高10倍,螺旋波等离子体密度沿径向递减迅速,而在电感放电模式中则等离子体密度沿径向相对分布均匀。用石墨烯和记号笔涂层代替Mo、Si上沉积的碳污染物。本文作者将螺旋波等离子体用于对Mo、Si表面碳污染物的清洗,同时对电感耦合等离子体清洗Mo、Si表面的碳污染物的效果进行比较分析。主要结论如下:螺旋波等离子体清洗后,Mo、Si表面的微观形貌发生变化,表面碳被基本移除,清洗前Mo、Si表面的碳元素分别为58.5%、86%;螺旋波等离子体清洗3 min后,Mo、Si表面的碳元素都含量降为0,而电感耦合等离子体清洗3 min后,Mo、Si表面的碳元素含量分别降为32.6%、67%。就对C元素的清洗效果而言,前者清洗速率约为后者清洗速率的2.26倍。螺旋波等离子体清洗3 min后的Mo样品的光学性能（反射率）能恢复至原始样品的70%左右,而用电感耦合等离子体清洗3 min后Mo样品的光学性能（反射率）只能恢复到15%的水平,前者的反射率是后者反射率的4倍。对Mo、Si样品清洗后的亲水性而言,螺旋波等离子体清洗比电感耦合等离子体清洗效果更佳。在P=1.0 Pa条件下的螺旋波等离子体清洗效果最佳。