摘要：聚合物激光是近年来有机光电子学领域的一个热门的研究方向。由于聚合物有着加工工艺简单,驱动电压低,发光效率高,发光光谱宽等优点,可以作为理想的激光增益介质材料。近年来,光泵浦条件下的聚合物激光已经得到实现,但是要实现电泵浦下的聚合物激光仍然是一个极具挑战性的问题。因此,本文针对电泵浦激光中所面临的材料增益阈值相对较高,聚合物材料的载流子迁移率较低等问题,对聚合物激光的器件结构及增益材料等做了一系列的探讨研究：(1)研究了具有光栅结构的聚合物光波导的ASE特性。以MEH-PPV为增益材料,利用了激光刻蚀技术,在聚合物表面直接刻蚀出了光栅条纹,形成DFB结构的光波导。通过在聚合物表面直接刻蚀出聚合物光栅的方法,可以用比较简便的方法得到DFB光波导结构。得到的光栅结构的DFB光波导的受激辐射特性也得到了一定程度的优化；(2)研究了共混聚合物F8BT:P3HT体系的受激辐射特性。这种共混材料体系同时有着较低的受激辐射阈值和较高的载流子迁移率,将会是可能实现电泵浦激光的理想材料体系。本部分实验内容系统研究了其阈值和共混比例的关系,发现当P3HT的混合比例小于20%时,共混聚合物的阈值低于纯F8BT的阈值,并同时研究了引起这一阈值变化的原因,发现该共混聚合物光波导损耗的降低是导致了其ASE阈值降低的主要原因；(3)研究了电场调制下,F8BT:P3HT体系的ASE光谱特性与外界电场之间的关系,发现该共混聚合物的受激辐射会在电场下产生猝灭,不同混合比例的共混聚合物的ASE在电场下的猝灭速率不同,P3HT的混合比例越高,电场下的猝灭速率越快。在高电场作用下,激子的离化作用加剧,可以使聚合物的ASE完全猝灭。