电场调制相关论文
基于Pockels效应原理，分别对交直流混合强电场传感器中的电光传感单元和电场调制机构进行了设计与测试。对电光传感单元结构进行合......
氮化镓（GaN）因具有宽禁带、高临界击穿电场以及高电子饱和速度等特点被学术界以及产业界广泛地研究,基于GaN材料新型功率HEMT器件也......
横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor,LDMOS）作......
多铁性材料是一类含有两种或两种以上铁性的多功能材料,具有丰富的物理现象和广泛的应用前景。本论文从实验上制备得到掺杂钙钛矿......
多铁性材料是集铁电性、铁磁性、铁弹性三种铁性中的两种或两种以上特性的一类多功能材料。近几年人们广泛研究具有铁磁和铁电特性......
二十一世纪将是材料一电子一体化的世纪。用一种新型功能材料或将几种新型功能材料复合形成异质结制作出具有特定功能的微电子器件......
提出了一种性能优良的电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管(CSTBT)。结合电场调制原理,在器件的载流子存储(CS)层引入P掺杂条,改善......
为了进一步提高GaN HEMT器件的击穿电压,并保持低的导通电阻,文中提出了一种具有N型GaN埋层的AlGaN/GaN HEMT。该埋层通过调整器件......
利用紫外一可见反射吸收光语对不同粒径Yb203纳米晶进行了光吸收特性的研究，对其在300nm一500nm的宽带吸收指认为02p→Yb4f电荷转移......
采用射频磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备了具有面内单轴各向异性的FeCoSi磁性薄膜。使FeCoSi磁性薄膜初始易磁化方向（称为初始易轴......
从掺杂PPQ薄膜单层器件的电致发光光谱在掺杂前后的变化,说明掺杂PPQ薄膜中存在着基质分子和掺杂分子间的能量传递,其电致发光光谱......
利用地下卤水配制河蟹育苗用的海水；葡萄糖酸稀土配合物鱼饵料添加剂；含有微交变生物电场调制的酵母菌的虾饲料；一种翘嘴红鲌的人工繁......
研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有......
提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构，称为SBLDMOS．通过在高阻P型衬底背面注入N^＋薄层，衬底反偏电压的电场调......
共轭聚合物材料具有荧光量子效率高、受激发射截面大、吸收光谱与发射光谱交叠区小、制备工艺简单等特点,是非常理想的激光增益介......
横向高压器件是高压集成电路的关键器件,受到了众多学者深入的研究。随着半导体技术的快速发展,功率器件和常规低压器件等比例减小......
功率集成电路要求功率器件具有高功率、高速、低功耗和易集成的特点,横向功率器件作为功率集成电路的核心成为了研究的热点之一,其......
磁电多铁性材料是一类应用广泛的功能性材料,由于其在传感器、集成电路、高密度信息存储以及磁电子学等方面的潜在应用引起了人们......
垂直双扩散金属氧化物半导体(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor,VDMOS)器件是一种重要的功率半导体器件,因其......
近些年来随着移动互联网时代与信息化进程的不断加快,移动通讯行业迎来了飞速的发展与革新的热潮,移动通讯终端设备的需求也呈现爆......
简要阐述调制光谱方法、重点是光调制反射光谱的基本原理。讨论电场调制反射光谱和光调制反射光谱在半导体混晶、离子轰击-激光退......
高压LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）是高压集成电路HVIC（High Voltage Integrated Circuit）和功率集成电路PIC（Power Integrate......
随着技术的不断发展,人们对电子器件的小型化提出了更高的要求,集多种功能特性于一身的多铁性材料引起了人们的研究兴趣。单相多铁......
摘要：聚合物激光是近年来有机光电子学领域的一个热门的研究方向。由于聚合物有着加工工艺简单,驱动电压低,发光效率高,发光光谱宽......
