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近年来低维度纳米结构半导体材料的研究越来越引起人们的重视，并逐渐显示出其在这一领域的潜在优势。氧化锌（Zinc oxide，简称ZnO）是一种非常好的Ⅱ-VI族直接带隙氧化物半导体材料，在常温下禁带宽度约为3.37eV，电子激发结合能高达60MeV，光增益系数达300cm-1。基于在诸多方面表现出的优良性能，目前，氧化锌在光催化材料、压电材料、纳米激光、表面声波器件、波导、光学开关、紫外光探测器、太阳能电池等领域都有十分广阔的应用前景，氧化锌在当今社会可以说是一种具有巨大应用潜力的新型材料。