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石墨烯是单层二维蜂窝状晶格结构的碳材料,其高导电、高的电子迁移率、高机械强度及高光透过率等优异的物理特性,吸引各行业专家学者的研究。厚度可控、可重复生产的大面积高质量石墨烯合成方法一直是研究人员的目标。目前石墨烯常见的合成方法有机械剥离法、SiC外延生长法、氧化还原石墨方法、化学气相沉积法及离子注入法。离子注入是一种表面材料改性及掺杂的技术,已成熟应用在电子工业生产中,此技术可以精确控制碳离子注入剂量,不受基底固溶度及扩散系数的影响,是最有前景的石墨烯合成方法之一。2010年以来,人们利用离子注入技