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本文在经过预处理的蓝宝石衬底上,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)无掩模横向外延生长GaN薄膜。并与同样生长条件下,在未经腐蚀预处理的蓝宝石衬底上外延的GaN薄膜进行对比测试。采用X射线双晶衍射技术、原子力显微技术、湿法腐蚀及扫描电子显微镜技术,进行测试分析,结果表明,经过腐蚀预处理的GaN衍射峰的半峰宽及强度、表面平整度、腐蚀坑密度都明显优于未经腐蚀预处理的GaN薄膜,使原有生长条件下GaN薄膜位错密度下降50%。从晶体结构和生长机制分析外延层质量提高的原因,是由于在缺陷集中的腐蚀坑位置,没有