高压驱动芯片已经广泛应用于白色家电(诸如冰箱、洗衣机等)及工业制造领域采用的三相电机(诸如应用于工业缝纫机中)的控制系统中。新一代的高压驱动芯片中集成的低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)除了给高压驱动芯片部分模块供电外,还需给微控制单元(Microcontroller Unit,MCU)供电,并且板级系统的微型化设计还要求LDO无片外电容。通常MCU的工作电流高达50mA甚至更高,其工作状态的切换会使得LDO的负载电流不断变化,从而会导致驱动芯片内部供电电源不稳。因此,研发一款具有高瞬态响应特性的无片外电容LDO电路具有重要意义。本论文首先介绍了高压驱动芯片的应用背景和传统LDO的基本原理,之后重点对无片外电容下LDO的瞬态响应特性和稳定性机理进行研究与分析,由于没有片外电容,LDO输出端缺乏对过冲电压和跌落电压的缓冲,导致瞬态响应特性变差;当LDO主极点频率高于单位增益带宽时,会导致系统环路不稳定。针对上述问题,本论文改进设计了一种具有高瞬态响应特性的无片外电容LDO电路,其采用了一种瞬态响应动态增强电路,包含一个双路检测(Dual Roads Sense,DRS)电路和运算放大器(Operation Amplifier,AMP)偏置增强电路。DRS电路对输出端的过冲电压和跌落电压分别进行检测,解决正负脉冲无法精确检测的问题,再将检测结果转换成脉冲信号输出给AMP偏置增强电路,从而增大AMP的偏置尾电流,动态提高LDO的瞬态响应特性;采用单级运放结合密勒补偿电容的方案,将位于调整管栅极的主极点与LDO输出端的次极点有效分离,从而保证LDO的稳定性。本论文设计的LDO电路基于0.5μm 600V BCD工艺进行流片。测试结果显示,负载电流在0到150mA之间瞬变时,LDO的过冲电压和跌落电压分别低至35mV和38mV,基本满足了设计指标。