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宽禁带氧化物半导体材料是目前半导体材料领域的研究热点之一,基于锡和锑的合金氧化物由于具有优良的光电性能,引起了人们广泛的关注。但是,目前系统地研究锡和锑的合金氧化物以及掺杂行为的研究很少。本论文综合介绍了半导体材料的掺杂机理,p型和n型透明导电氧化物(TCO)薄膜的研究进展,以及氧化锑和氧化锡的结构特征。以Sb-Sn二元体系锡锑相互掺杂获得锡锑氧化物薄膜为研究内容,利用直流反应磁控溅射法,成功制备了性能良好的n型和p型透明导电锡锑氧化物薄膜,系统地研究了掺杂比、氧气分压比、热处理温度等工艺