本论文以磁致伸缩型RF MEMS 开关的悬臂梁式和膜桥式两种典型结构为研究对象,利用ANSYS7.0 和HFSS5.6 软件分别对开关的微波性能和力学行为进行了仿真研究;实验中采用表面工艺和体工艺相结合的方法,对开关的制备工艺进行了研究和讨论。在微波性能仿真中,重点研究了悬臂梁结构的信号线间距d、信号线宽度w、气隙高度g 和金属接触层面积以及膜桥结构的膜桥宽度wd、信号线宽度w、膜桥高度hg等几何结构参数对开关的插损和隔离度的影响。研究表明:对悬臂梁结构,d=25μm,w=30μm,g=2μm,A=150×60μm~2时,在1.1±0.2GHz 的工作频率范围内,插入损耗小于0.2dB,隔离度大于35 dB,满足提出的设计要求。对膜桥结构而言,其满足设计要求的相应几何结构为:w_b=50μm,w=100μm,h_g=2.0μm。在力学性能仿真中,研究了悬臂梁挠度D 与梁长度L、梁宽度W、梁基底材料类别及厚度T_s、磁致伸缩薄膜的厚度T_f的关系,以及膜桥挠度D 与膜桥长度L 等的关系。研究表明:磁致伸缩悬臂梁的挠度D 随L 增加而增加,且满足D∝L~2 关系,随T_s 增加而降低,随T_f 增加而先增加后降低,与悬臂梁的宽度W关系不大。磁致伸缩膜桥挠度D 随L 增大而增大。在开关制备研究过程中,采用表面工艺和体工艺相结合的方法,利用磁控溅射、光刻、化学蚀刻及等离子体蚀刻等手段,对制备过程中的关键工艺作了详细的研究和讨论,得到了切实可行的工艺方案和工艺参数,在高阻硅上制备出磁致伸缩MEMS 开关样品。样品的几何结构参数为: 悬臂梁开关:梁基底厚1μm,磁致伸缩层厚1.5μm,梁长150μm,梁宽50μm,空气隙高约2.0μm。膜桥式开关:膜基底厚1μm,磁致伸缩层厚1.5μm,膜桥长400μm,膜桥宽50μm,膜桥高约2.0μm。