【摘 要】
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本文研究了根据特定的要求将一个CMOS 0.18工艺输入信号为3.3V和5V混合的IO标准单元库面积缩小的过程。在缩小之前IO库中基本的单元尺寸是69um X 380um。要求规定新的IO标准
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本文研究了根据特定的要求将一个CMOS 0.18工艺输入信号为3.3V和5V混合的IO标准单元库面积缩小的过程。在缩小之前IO库中基本的单元尺寸是69um X 380um。要求规定新的IO标准单元库的最大输入信号是3.3V,IO库中的基本单元尺寸为宽不大于80um,长不大于250um。IO单元的面积主要决定于它的ESD保护结构,压缩以前CMOS基本单元库用的是级联的MOS管(stacked MOS)ESD保护结构。这个结构的优点是,不采用增加栅氧化厚度的方法,在5V信号输入时能防止电子迫于压力穿过栅氧化层,形成漏电流通路。但这种级联MOS管的结构在ESD保护性能上没有单MOS的ESD结构好,因此在最大电压下降到3.3V时,改用单MOS的ESD保护结构来节省面积。
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