【摘 要】
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单片微波集成电路简称MMIC,是一种把有源和无源元器件制作在同一块半导体基片上的微波电路。它具有体积小,重量轻,可靠性高,稳定性好等优点。混频器广泛运用于通信、雷达等领
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单片微波集成电路简称MMIC,是一种把有源和无源元器件制作在同一块半导体基片上的微波电路。它具有体积小,重量轻,可靠性高,稳定性好等优点。混频器广泛运用于通信、雷达等领域,是接收系统中的核心部件。本文基于UMS公司0.15um GaAs工艺设计了一款毫米波四次谐波镜像抑制混频器。高性能毫米波本振源的设计比较困难,运用谐波混频技术可将本振频率降为基波频率的1/2、1/4,进而回避了毫米波本振源的设计难题;镜像抑制技术在抗干扰中显得尤为重要,因此将谐波混频技术与镜像抑制技术结合起来设计混频器具有重要意义。首先选用二极管进行电路的设计与仿真,然而仿真结果不够理想;紧接着应用PHEMT(赝配高电子迁移率场效应晶体管)设计了一款阻性四次谐波镜像抑制混频器,其中的核心部件为双巴伦和兰格电桥,两者的幅度不平衡度和相位不平衡度对镜像抑制度起着决定性的作用,最终整体电路的仿真结果均达到设计指标要求(射频为35~37GHz时,镜频抑制>20dB,变频损耗<20dB;射频、本振隔离度>30dB)。测试结果表明,混频器在射频输入35~39GHz,中频输出0~2GHz时的变频损耗小于20dB,镜像抑制度大于17.5dB。射频与本振的隔离度大于38dB。
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