MMIC相关论文
单片机集成环境主要应用于无线通信、雷达、电子测量等行业，近年来随着设备的发展，对机器的需求增加，对可靠性的要求也提高了。单片有......
阐述一款基于GaAsp HEMT的2～6GHz收发多功能芯片的设计，该芯片集成了收发切换开关、接收低噪声放大器和发射功率放大器，具有高集成、......
随着无线通信时代的加速发展,一些高效的数字调制技术在卫星通信系统中得到了广泛应用,这也使得系统中的传输信号的峰值平均功率比......
太赫兹技术近年来成为热点研究领域,在通信、电子对抗以及医学成像等民用军用领域前景广阔。太赫兹系统研究重点是单片集成电路与......
本文基于0.15um GaN on SiC工艺设计了一款工作于Ka波段的高效率两级MMIC功率放大器。仿真结果表明:该功率放大器在34-36GHz频段内......
微波单片集成电路具有体积小、批量生产成本低、可重复性和可靠性强等显著优势,经过几十年的发展,已经成为了通信,国防,航空航天等......
毫米波引信具有探测精度高、目标识别率大、抗干扰性能好等优点,是无线电引信研究的重要方向之一。本文主要针对毫米波引信探测系......
射频功率放大器作为射频前端中发射链路的重要部件,其主要功能是将已调制完成的小功率信号进行放大处理。当前,各种无线技术的快速......
进入21世纪,军用以及民用的信息交换需求大幅增加,射频通信领域的发展迎来前所未有的关注,功率放大器以在射频电路中承担着对传输......
随着第三代北斗系统正式组网,我国已经实现了真正意义上的全球导航系统。北斗系统的定位和短报文服务对卫星通信导航终端设备的传......
基于自主开发的100 nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作频段覆盖E波段(60～90 GHz)的宽带高功率放大器芯片.放大器......
针对射频系统小型化,智能化,多功能化的需求,本文基于GaN工艺设计了一款工作于2-10GHz的MMIC宽带可重构功率放大器。仿真结果表明:......
基于GaN HEMT工艺研制了一款8～12.5 GHz宽带6 bit数字移相器.通过采用优化的宽带拓扑和集总元件,以及在片上集成GaN并行驱动器,提高......
随着集成电路相关领域技术的不断发展,在单片微波集成电路（Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC）性能不断提高、封装不断......
毫米波是当前军事电子技术和民用开发的主要频段.毫米波的工作频率介于微波和红外/光学之间,兼有两者的优点.其波长短,频带宽以及......
本文详细的阐述了U波段四倍频器研制过程,采用ADS分析,用MMIC芯片设计出的四倍频器具有体积小(19mm×19mm×27.5mm),输出功率高,倍......
2021年7月,商贸泽电子开始备货Analog Devices ADMV8818数字可调谐滤波器。ADMV8818是一款单片式微波集成电路(MMIC),可通过数字方......
本文通过对上变频边带抑制和下变频时镜频抑制原理分析,通过集成开关对中频电桥的隔离端进行切换,来改变中频电桥对IQ信号的相位合......
一种新型的低压大功率Ｔ／Ｒ开关ＭＭＩＣ据《ＩＥＥＥＭＴＴ》１９９５年第５期报道，ＴｓｕｎｅｏＴｏｋｕｍｉｔｓｕ等设计出一种新的ＦＥＴ可转换式ＬＣ谐振开关，取代了常用的Ｔ／Ｒ组件开关。这种新型的低压、大功率、低......
控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）──一种新型的ＭＭＩＣ控制器件据《ＩＥＥＥ１９９５Ｍ．＆ＭＭ．Ｗ．Ｍｏｎｏｌ．Ｃｉｒｃ．Ｓｙｍｐ》报道，ＤａｖｉｄＪ．Ｓｅｙｍｏｕｒ等研制成一种微波单片控制电路用的新型ＧａＡｓ器件──控制场效应晶体管（ＣＦＥＴ）。为了降低........
本文采用时域有限差分（ＦＤＴＤ）方法对单片微波集成电路（ＭＭＩＣ）中的开路、短路共面结构进行了全波三维电磁模拟分析，在简要介绍ＦＤＴＤ方法的基础上，给出了截......
本文提出一种采用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺制造的平面微波变容管Ｃ－Ｖ特性解析模型，该模型着眼于小尺寸、平面化工艺及离子注入工艺，充分考虑了由其产生的栅下......
三菱开发９０ＧＨｚ低噪声放大ＭＭＩＣ日本三菱电机公司已制成可使毫米波通信机小型、高性能化的９０ＧＨＺ低噪声放大ＭＭＩＣ。毫米波通信可望应用于第二代的移动通信......
本文介绍了一种采用ＭＭＩＣ元器件设计宽带增益线性渐变放大器的方法．按这种方法设计的放大器可实现增益线性渐变，输入输出匹配良好．此方法在......
随着通讯系统小型化的需要,很多微波有源电路需要单片集成(MMIC)。在MMIC中变容二极管与GaAs MESFET工艺不兼容,无法在一块GaAs半......
高灵敏度Ｗ波段ＭＭＩＣ辐射计组件毫米波辐射计能测量宇宙中物体所发射出来的毫米波辐射，目前主要用于射电天文、违卖品的探测、宇宙飞行器的......
对于测量和测试通信设备来说,宽带的自噪声源是很有用的。图1所示是一个简单的噪声源,在其输出端上能产生一个大的噪声信号。该电......
从事SiGe半导体开发的韩国Tachyonics公司,因拥有SiGe HBT(异质结双极晶体管)工艺和单元库而进入了无线通信的MMIC(单片微波集成......
Hittite Microwave公司已研制成 HBT 单片微波集成电路功率放大器,工作频率为4.4～6 GHz封装于具有外部基座无引线 SMP(Surface—Mo......
据报道,Agilent Technologies推出新系列毫米波、微波MMIC(AMMC)。新AMMC系列产品适用于DC～50GHz射频范围和10Gb～40Gb的通信应用。......
Hittite微波公司宣布开发出用于点对点、点对多点、甚小孔径终端、军用和太空用途的三款新的GaAs pHEMT中功率放大器芯片。每款放......
Hittite公司新近开发出两款MMIC混频器。HMC144LC4型混频器是一种无引线无铅表面安装技术封装的双平衡MMIC混频器,可用作6-20 GHz......
M/A COM公司开发出一种双线路X波段多功能微波单片集成电路(MMIC),它包容了X波段雷达应用所需的多种发射和接收功能。这种型号为MA......
据《电子材料》(日)2006年第6期报道,日本瑞萨科技开发了2.4GHz/5GHz双频SiGe功率放大器MMIC,用于无线LAN终端。2.4GHz时的功率增......
利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,......
利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得......
介绍了一款应用于3GHz通信的基于改进增益平坦度的功率放大器设计,其由商用InGaP/GaAs异质结双极性晶体管(HBT)工艺制作.为了以简......
据《i-Micronews》May25th.2010报道,德国Fraunhofer大学采用390μm的SiC衬底开发了Ka波段AlGaN/GaN HEMT大功率MMIC。该HPA MMIC......
据《i-Micronews》May25th.2010报道,美国Cree公司发布了该公司最新几种型号GaN HEMT MMIC放大器的研制成果。CMPA2060025D,2~6GHz......
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本住友电工采用圆片级芯片尺寸封装(WLCSP)技术,在GaAs衬底上形成PHEMT有源层,并在其上......
据《信学技报》(日)2010年110-14期报道,日本NTT公司开发了3D结构的准毫米波RF前端MMIC。该3D MMIC尺寸为3mm×3mm。发射采用上变......
通过分析InGaP/GsAsHBT器件的热学和电学特点,结合HBT大功率放大器芯片在技术性能、稳定性、可靠性及尺寸等方面的要求,通过优化设......
