透明导电氧化物薄膜因其较低的电阻率和高的可见光透射率而广泛应用于太阳能电池,平面显示器等领域。透明导电氧化物主要包括In203、Sn02、ZnO及其掺杂系列SnO2:F(FTO)、 In2O3:Sn(ITO)、ZnO:Al(AZO)等,其中A1掺杂ZnO(AZO)薄膜具有原料丰富、光电性能优异、制备方法简单等特点,已成为透明导电氧化物的研究热点。AZO薄膜的光学透射率可以稳定达到85%及以上,阻碍电池制备的最大阻碍在于获得电学性能优异的AZO溥膜,因而改进制备工艺获得低电阻率的AZO薄膜成为提高其性能的关键。本文采用磁控溅射方法制备了AZO薄膜,重点研究了衬底温度、溅射压强、沉积时间等工艺参数对AZO薄膜晶体结构、薄膜厚度及其电学性能的影响。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、用台阶仪、电输运测试系统对薄膜的晶体结构、表面形貌、厚度以及电学性能进行了测试分析。研究表明：所制备AZO薄膜呈六角铅锌矿结构。随着衬底温度的增加,薄膜的晶体结构发生显著变化,而溅射压强主要影响AZO薄膜(103)晶面与(002)晶面相对取向强度的变化,沉积时间也严重影响着薄膜的相对取向强度。衬底温度对薄膜的厚度的变化影响是很小；随着溅射压强的增加,薄膜的厚度逐渐减小,表明沉积速率也是减小的；而随着沉积时间增加,薄膜的厚度呈线性增加,但得到的沉积速率是逐渐减小的。衬底温度增加,薄膜的电阻率急剧降低,迁移率和载流子浓度显著增加。溅射压强增加,电阻率先减小后增大,这与AZO薄膜(103)面和(002)面相对强度比的变化趋势一致,工作气压、沉积时间对电学性能的影响没有温度的影响显著。