绝缘栅双极晶体管（IGBT）是目前工业生产领域应用最广泛的大功率电力电子变换器件,提升其器件可靠性和驱动器优化性是当今IGBT技术发展最具价值的研究方向。而IGBT驱动技术作为IGBT应用领域最关键的技术之一,对大功率电力电子变换器件的可靠运行起着至关重要的作用,直接影响到系统的运行效率、安全性和可靠性。由于IGBT工作在高频大功率工作环境下,在其关断过程中,集电极-发射极之间将产生感应电压,如果不加以干预,感应电压将与母线电压叠加,甚至超过其最大能够承受的电压阈值,导致器件被击穿损坏;在其开通过程中,会在开关管中产生过电流,过高的电流尖峰产生的电流应力会加速功率模块内部封装的老化。因此研究并优化IGBT的驱动电路具有重大意义。论文主要内容包括以下几个方面:首先将IGBT结构进行剖析,与MOS管进行比较。详细描述了IGBT工作过程中的动态特性,通过对IGBT的工作原理进行详细描述,将IGBT开关瞬态过程划分为8个阶段。列举了IGBT在正常工作情况下出现的故障,描述了故障产生的原因和针对该故障目前常用的驱动保护电路,对保护电路的保护机制进行了简要描述。针对本文驱动优化设计方向提出驱动电路的设计方案。随后,根据IGBT驱动电路的特性,本文提出一种脉宽调制脉冲（PWM）预调制技术,在驱动电路中增加数字控制模块,根据负载电流的变化及时改变门极预调制策略。该方法能够有效抑制关断电压尖峰,使驱动电路更具有通用性,实验结果证明该方法的可行性和实用性。最后,提出了一种用于调整大功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关特性自调节门极驱动（SRGD）方法,SRGD可根据逆变系统的母线电压以及负载电流确定多个调控级别。结合快速电流反馈电路,通过复杂可编程逻辑器件（CPLD）计算各调控级别下驱动电压转换的时刻,在经过数次循环调整后,得到最优转换时刻,有效消除有源驱动闭环控制方法的延迟效应。实验结果显示,论文提出的开关特性自调节门极驱动（SRGD）方法对IGBT开关过程的优化调节是有效的。本论文有图55幅,表5个,参考文献90篇。