硅(Si)材料是目前电力电子器件的主要材料,对其的研究与开发已达到极限,因此对宽禁带半导体的研究已成为必然趋势。随着研究的不断深入,半导体器件正从传统硅基逐步向碳化硅基过渡,其中碳化硅MOSFET具有高温,高频,高效等优势。首先,为了评估实际应用中碳化硅器件的静态与动态特性,本文首先针对Infineon1200V/100A碳化硅半桥模块(FF11MR12W1M1_B11)进行pspice建模,给出了三种静态特性建模方法,比较了其优劣,并提出了电压控制电流源模型来对静态特性模型进行建立,结果显示基于温度变量对静态参数进行拟合得到的模型,在宽温度范围内与实际器件特性匹配度较高。动态特性主要通过对非线性电容进行拟合,用一个具有电容I-V特性的电流源对非线性电容进行描述,并通过Spice语句建立了半桥模块的Pspice仿真模型。基于双脉冲测试平台验证了模型的准确性,并针对实验中存在的误差现象进行分析,证明了所建立模型的准确性。其次,由于碳化硅器件高频特性使得其在工作时对回路寄生参数更加敏感,例如,在寄生参数的影响下器件动态过程会伴随着较高的电流、电压过冲,严重时会直接导致器件内部故障甚至损坏。因此,分别针对驱动回路与功率回路中寄生参数的影响进行研究,得到了各部分寄生参数对器件动态性能的影响,结果显示共源极寄生电感由于同时存在于功率回路与驱动回路中,其值的大小对器件动态特性影响最大。最后,分析了导致碳化硅MOSFET并联不均流的各种因素,包括外部电路参数、内部器件参数以及温度等。分别对开通、关断瞬态建立了存在寄生参数的等效振荡电路模型,将复杂的、多寄生参数的振荡现象用一个等效的RLC电路进行简化,简化了实际应用中SiC器件存在复杂的振荡现象。