Pspice仿真模型相关论文
利用OrCad软件的Model Editor模块建立了PIN光电探测器的Pspice仿真模型,对比分析了PIN光电探测器的实验数据与仿真数据,对PIN光电......
应用等效模拟的方法建立了大功率IGBT的PSPICE仿真用直流模型和动态模型，并对其进行了直流特性和动态特性的研究。对照仿真值与器件......
在Buck DC／DC变换器的分析与设计中，对开关工作时所形成的电压纹波的分析是至关重要的。为分析其输出电压纹波特性，讨论了Buck DC／DC变......
碳化硅(Silicon Carbide,SiC)因其禁带宽度大、击穿电场强、饱和速率高和热导率高等物理特性,在半导体材料中占据主导地位。因此,S......
硅(Si)材料是目前电力电子器件的主要材料,对其的研究与开发已达到极限,因此对宽禁带半导体的研究已成为必然趋势。随着研究的不断......
学位
碳化硅(SiC)器件作为一种新型功率器件，近年来以其适用于高温高频开关工作等突出优势受到广泛的研究和应用。对其特性进行分析和评......
Si C MOSFET是一种刚投入市场工业应用还未成熟的半导体器件,虽然Si C MOSFET一经问世就受到了广泛关注,但其在实际工程应用中的的......
传统的铝及其合金的焊接方式不同时具备阴极清理能力与减少钨极烧损能力，很难得到满意的焊接结果。近年来发展起来的变极性TIG（Tungs......
