近年来,随着石墨烯的发现,二维材料进入了人们的视野,其中二维层状过渡金属硫属化合物（TMDCs）作为二维材料中重要的一部分,有着最轻、最薄、极佳的导热导电性等优秀的物理性能,以WS₂、MoS₂为代表,在晶体管、光电探测器,柔性器件等领域有广阔的应用前景,是构建下一代光电子器件的候选材料。虽然其性能独特,但是单一的TMDCs无法同时应用在多个领域,所以需要对TMDCs进行异质结的构建或者掺杂,将原有性能进行改善,赋予其更多的物理特性。同时不同领域对二维材料的质量与尺寸有着不同的要求,所以对生长条件进行探索总结,满足不同应用领域的需求,实现掺杂样品的可控制备也是今后需要重点解决的问题之一。本论文主要围绕低压化学气相沉积法（CVD）,对V掺杂的WS₂二维晶体进行了生长,并系统研究了生长过程中不同因素对V掺杂WS₂二维晶体的形貌及掺杂浓度的影响,达到了可控生长的目的,并进行了电输运性能的测试,主要研究内容如下:（1）通过化学气相沉积法,以S粉为硫源,WO₃为钨源,V₂O₅为钒源,Si/SiO₂（300nm）为基底,一步法制备了V掺杂的WS₂二维晶体,通过改变V掺杂WS₂二维晶体不同生长条件,可以在1×1cm的基片上获得分散性较好的单层V掺杂WS₂和接近连续的单层掺杂薄膜;使用两步法,S粉作为硫源,V₂O₅粉末作为V源,长有WS₂的Si/SiO₂（300nm）基片作为基底,获得了在原有WS₂上外延生长的V掺杂WS₂二维晶体;对一步法和两步法的生长规律进行了探索与总结,达到了V掺杂WS₂二维晶体可控制备的目的。（2）对V掺杂的WS₂样品进行了线性拉曼（Raman）、光致发光（PL）谱,变温Raman及PL、透射电镜（TEM）等分析表征,观察到了室温下PL的劈裂现象;发现单层V掺杂的WS₂二维晶体中存在浓度梯度,其中V最大的掺杂浓度约为9.8%;将V掺杂的WS₂二维晶体制备成场效应晶体管（FET）进行了电输运性能的测试,其载流子类型为p型,达到了改变WS₂性能的目的;掺杂样品在2K时随着外加磁场的增强电阻变小,在30K时随着外加磁场的增强电阻变大,存在铁磁顺磁转变,通过V的掺杂诱发了WS₂的磁性。