有机发光器件具有全固态、主动发光、亮度高、视角宽、工作温度范围大以及可制作在柔性衬底上等诸多优点,因此被视为下一代的显示和照明技术之一。近年来OLED的产业化发展非常迅速,OLED显示器已经大量应用在各种电子设备上,如手机、mp3、电视、医疗电子设备、汽车电子设备等。OLED照明技术也已经从实验室走向了产业化,欧司朗、通用电气等公司纷纷推出OLED照明产品。可是OLED技术仍然存在一些亟待解决的问题,如开启电压不够低、器件效率不够高、寿命不够长等。为了解决上述问题,现在普遍采用的有效方法之一就是电学掺杂。电学掺杂分为N型电学掺杂和P型电学掺杂,现阶段P型电学掺杂方面的研究报道很多,发展很迅速,而N型电学掺杂与P型电学掺杂的发展相比则相对缓慢,因此需要进一步的研究N型电学掺杂。N电学掺杂可以明显的改善电子从阴极到有机层的注入,也可以提高电子在电子传输层的传输。现在应用比较广泛的N型掺杂材料主要是碱金属及其化合物,其中碱金属Li和Cs及其化合物是现在应用最普遍的N型掺杂剂材料,如LiF、Li2CO3、Cs2CO、CsF等。但是由于Li原子尺寸比较小,因此易扩散进入发光层而影响器件的性能；Cs的化合物如应用最广的CS2CO3,其蒸镀温度较高(大于600℃),CS2CO3过高的蒸镀温度不利于应用在生产中。基于上述因素,需研究一种N型掺杂剂材料以避免现有碱金属N型掺杂剂材料的缺点。经过大量的阅读文献和实验探索,本论文采用RbBr材料作为新型的N型掺杂剂材料,因为Rb原子具有相对大的原子尺寸,且RbBr材料具有相对低的蒸镀温度,另外]RbBr材料在空气中比较稳定。本论文进行了RbBr层作为OLED修饰层的实验和RbBr:Alq3掺杂层作为OLED电子注入层的实验。RbBr修饰层实验探索了RbBr层作为OLED阴极修饰层的对器件性能的改善,同时对修饰层的最佳厚度进行探索。实验表明经过添加RbBr修饰层后,OLED器件的性能得到了较大的提升。为了进一步探究RbBr修饰层改善OLED性能的原因,本实验制作了RbBr修饰层单载流子器件,实验表明添加IRbBr修饰层后,器件的电流特性得到极大的改善,这说明电子从阴极到有机层的注入得到了较大的加强,电子注入的势垒也得到较大的降低。RbBr:Alq3掺杂实验中采用ITO/MoO3/NPB/Alq3/RbBr:Alq3/Al的器件结构,并对RbBr:Alq3掺杂层的掺杂浓度和掺杂层厚度进行了探索。实验表明经过掺杂的器件的性能会得到非常大的提高,其中RbBr掺杂层厚度为10nm, RbBr掺杂浓度为2%的器件在驱动电压为12V时的发光亮度为17982cd/m2,而在相同的驱动电压下未添加掺杂层的器件的发光亮度是2843cd/m2,前者达到后者亮度的6.32倍。RbBr掺杂层厚度为10nm, RbBr掺杂层浓度为6%的器件的效率要比未掺杂的器件的效率提高4-5倍。综上所述,RbBr材料是一种有效的N型掺杂剂材料。RbBr材料对于现在应用比较广泛的碱金属Li化合物不PCs2CO3等N型掺杂剂材料也具有一定的优势,Rb具有相对较大的原子尺寸,且RbBr的蒸镀温度不是很高。因此RbBr可以作为一种新型的、高效的N型电学掺杂剂材料可望被应用于生产中。