【摘 要】
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二硫化钼,其独特的二维层状结构、可调谐的表面化学性质和导电性使其在储能、催化、电磁吸收/屏蔽、复合材料以及传感器等领域展现出良好的应用前景。二维层状结构决定了其优异的微波吸收性能,作为介电损耗型吸波剂,在众多微波吸收剂中脱颖而出。本文详细的介绍了以介电损耗型MoS2为基体、负载导电聚合物PANI合成的三维嵌入式MoS2-PANI复合材料、负载介电损耗型硫化物CoS2合成的异质结构MoS2-CoS2
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二硫化钼,其独特的二维层状结构、可调谐的表面化学性质和导电性使其在储能、催化、电磁吸收/屏蔽、复合材料以及传感器等领域展现出良好的应用前景。二维层状结构决定了其优异的微波吸收性能,作为介电损耗型吸波剂,在众多微波吸收剂中脱颖而出。本文详细的介绍了以介电损耗型MoS2为基体、负载导电聚合物PANI合成的三维嵌入式MoS2-PANI复合材料、负载介电损耗型硫化物CoS2合成的异质结构MoS2-CoS2复合材料以及磁损耗型的磁性金属合金NiCo合成的NiCo-MoS2复合材料进行了研究。主要研究结论如下:（1）采用水热法,在15 bar压强下保温8 h,制备了二维纳米花MoS2。XRD结果表明,样品的特征衍射峰对应着2H-MoS2的晶面。其次,XPS的全谱图结果表明,Mo和S元素的共存,并且与实验设计的组成一致。结果表明,纯MoS2在C波段表明出不太理想的微波吸收性能。（2）采用原位氧化还原聚合法,通过改变MoS2和ANI的不同比例,得到了嵌入式的MoS2-PANI复合材料。FESEM结果表明,由于协同效应,原位聚合法制备的棒状PANI嵌入了独特的MoS2纳米花结构,形成了三维立体的复合材料。电导率测试结果表明,PANI的添加导致复合材料之间存在电导损耗。微波性能表明,因此,在MoS2:PANI的比例为1:1时,厚度为3.44mm,在8.08 GHz处,其最佳反射损耗可达到-59.78dB,最大有效带宽为3.12 GHz。除此之外,MoS2-PANI-3的RL值在3.92-18GHz的较宽频率范围内（厚度为2.0-5.5mm）可以达到-10 dB以下。（3）采用自组装水热法合成了由二元硫化物组成的微波吸收剂,具有纳米花形貌的异质结构CoS2-MoS2复合材料。在本文中,针对不同添加量的表面活性剂PVP,CoS2-MoS2复合材料的微观形貌存在着明显的差异。此外,CoS2-MoS2复合材料依赖着各方面的损耗机制,使其表现出优良的吸收和衰减电磁波的能力。由于它独特的纳米花结构和协同效应,可以达到-71.56 dB的最佳反射损耗,且匹配厚度为3.62 mm。（4）采用简单水热法合成了片状NiCo-MoS2复合材料。FESEM结果表明,由于强磁性相互作用,多面体NiCo合金粘附到MoS2,形成介电损耗和磁损耗共存的NiCo-MoS2微波吸收剂。磁性能测试结果表明,复合材料之间存在偶极相互作用并且伴随着弱的交换耦合行为。与MoS2和NiCo相比,NiCo-MoS2复合材料显示出增强的电磁波吸收能力,最小反射损耗值为-60.93 dB,这归因于增强的自然共振效应和优化的阻抗匹配。其次,可以通过调节MoS2:NiCo和Ni:Co的比例来优化吸收性能。最后,得到最优性能的NiCo-MoS2微波吸收剂。图[49]表[10]参[140]
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