Ni基合金中微观缺陷和3d电子行为的正电子湮没谱研究

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本文利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱研究了Ni-Al合金的微观缺陷和3d电子行为,讨论合金元素对Ni-Al合金微观缺陷的影响规律。其中多普勒展宽谱测量用双探头符合技术正电子湮没辐射装置,可大幅度地降低谱线的本底,获得正电子与原子内层电子湮没对谱线的贡献。 双探头符合系统测量不同化学计量比NiAl合金的多普勒展宽谱表明:在不同化学计量比NiAl合金中,Ni原子的3d电子和Al原子的3p电子局域形成强的共价键。Al含量的增加使Ni-Al原子对的Nid-Al p电子作用增强,d-d电子作用减弱。 测量过渡金属(Cr、Co和Ni)以及NiAl,Ni48Al45Cr7和Ni48Al45Co7的多普勒展宽谱,可从中提取出3d电子的信息。二元NiAl合金的3d信号峰比较低,在NiAl合金中加入Cr和Co,导致正电子与3d电子湮没的概率增加。加入Co比加入Cr更有利于增强NiAl合金的d-d电子作用。 不同化学成分二元Ni-Al合金以及加入第三元素的NiAl合金的正电子寿命谱结果表明:在B2-NiAl及Ll2-Ni3Al合金中,Ni和Al原子的部分价电子被局域化,导致合金中的自由电子密度较低。二元
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