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ZnO材料是一种直接禁带、宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度和激子束缚能分别是3.37eV、60meV。为此ZnO是一种很适合于制备各种光电器件的半导体材料,可用于制备：发光二极管(LEDs)、激光器(LDs)、紫外探测器、场效应晶体管(FET)等。器件性能的实现是以与ZnO接触的金属电极导入或导出电流所实现的,为此,制备性能优良的ZnO基体金属电极对于ZnO材料的广泛应用有着重要的意义。本文首先采用PLD (Pulsed laser deposition)方法制备的n型Al掺杂ZnO薄膜,探索了ZnO薄膜的欧姆接触电极制备及电极性能优化。主要工作包括以下内容：1.以CTLM (Circular transmission line model)模型为基础,采用光刻法制备了Al掺杂ZnO薄膜的全新结构金属电极层Ti/Ni/Ti/Au,对制得的电极样品在200～700℃范围内退火处理,以优化金属电极。最终在500℃退火处理下获得最小的接触电阻率6.69×10-5Ω cm2,同时发现了Ti/Ni/Ti/Au金属电极在高于500℃环境下肖特基接触转变的趋势。2.根据对Ti/Ni/Ti/Au电极层进行SIMS的分析结果,将金属电极层优化成全新结构的Al/Ni/Al/Au金属电极层,最终在400℃退火处理下获得最小的接触电阻率8.47×104Ω cm2,在200～800℃范围内退火,该电极没有发生肖特基转变。相对于Ti/Ni/Ti/Au电极,Al/Ni/Al/Au电极对于Al掺杂ZnO薄膜来说在高温下更具优势。同时,根据Ti/Ni/Ti/Au欧姆接触电极在高温下出现的肖特基接触转变,本文还研究了MOCVD(Metal organic chemical vapor deposition)法制备的n型非掺杂ZnO薄膜的肖特基接触。实验对制得的ZnO薄膜进行H202处理,经工艺优化之后,成功获得肖特基性能良好的Ni/Au金属电极。