化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)金刚石膜由于具有独特的光学、热学和机械性能,在高科技领域具有广阔的应用前景。电子辅助化学气相沉积(Electron-Assisted Chemical Vapor Deposition,简称EACVD)是制备金刚石膜的重要方法之一,它具有设备简单、生长易控制、膜层质量好等优点。本文针对新开发的小型化EACVD金刚石膜沉积设备,设计出其嵌入式控制系统,满足了金刚石薄膜制备的要求。主要工作如下:1.针对制备金刚石薄膜时衬底温度的变化特点和影响因素,提出了采用模糊PID参数自整定控制法来控制衬底温度,并建立了衬底温度控制的数学模型,对所设计的模糊PID控制器进行了参数整定与优化、仿真分析和离散化处理。2.设计了以SOC型高速微处理器C8051F020为基础的小型化EACVD金刚石膜沉积设备的控制系统,对系统的数据采集模块,控制输出模块,数据存储模块,报警电路,人机交互界面,通信等模块进行了详细的设计。3.在Keil C51开发环境下开发底层硬件驱动程序,开发了SPI、I2C、UART等通信接口协议;在控制系统硬件平台上移植μC/OS-II嵌入式实时系统,在满足实时性要求的同时使任务扩展更具灵活性。4.在μC/OS-II嵌入式实时系统的基础之上进行应用程序的开发。开发了Modbus RTU协议、多点测温程序、A/D采样和数据存储等软件模块,满足了系统多任务和实时性的要求。5.开展了金刚石膜的沉积试验,沉积试验表明设计的嵌入式工控系统对金刚石膜沉积设备的控制稳定、可靠,控制系统能够满足金刚石膜的制备要求。