近年来,太赫兹技术在国际上掀起了一股研究热潮,作为太赫兹相关技术中重要组成部分的太赫兹源引起了人们的广泛关注,太赫兹源的产生由光学、等离子体、电子学三大类技术来实现。本文通过基于电子学的固态半导体来展开中心频率为183GHz的G波段太赫兹源的研究,采用目前技术已十分成熟的毫米波信号Ka频段作为信号源,通过肖特基平面二极管对反向并联的方式实现五次谐波倍频,目标是为课题组太赫兹相关谐波混频器的测试提供射频信号,因此所研制的五倍频器主要考虑宽带性能。本文在理论研究与ADS、HFSS等仿真软件相结合的基础上,分别采用一对二极管反向并联、两对二极管反向并联两种方案对183GHz五倍频器进行仿真优化,并加工测试。所选用的肖特基二极管为UMS公司的DBES105A。测试结果为：采用一对二极管反向并联的G波段五倍频器,在27-30.5GHz输入频段内,五倍频输出功率在5μW以上,最佳匹配点在145GHz处,输出功率为15μW,在130-200GHz频率范围内,均有倍频输出；采用两对二极管反向并联的G波段五倍频器,在27-34GHz输入频段内,五倍频输出功率在1μW以上,最佳匹配点在150GHz处,输出功率为13.1μW,在130～200GHz频段内,均有输出功率。国外相关文献报道的太赫兹五倍频器主要是采用HBV来实现。国内由于加工工艺等因素限制,对太赫兹五倍频器的研究甚少,目前未见诸相关文献报道,本文所研究的五倍频器作为今后相关太赫兹五倍频研究的探索,可为太赫兹五倍频电路的研制奠定一些基础。