本论文采用原位化学法在纳米结构TiO₂膜上分别沉积了量子点PbS和CdS（Q-PbS，Q-CdS），并用电化学方法在TiO₂／Q-PbS，Q-CdS上聚合3-甲基噻吩poly（3-Methylthiophene）（PMeT）。对PMeT修饰量子点Q-PbS，Q-CdS连接纳米结构TiO₂膜的光电化学性能进行了研究。研究的主要结果如下：1)用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO／TiO₂／Q-PbS（Q代表quantum dots）膜电极的光电转换性质。结果表明，由于量子尺寸效应的结果，在饱和的Pb（CH₃COO）₂溶液中浸泡时间不同所制备的Q-PbS颗粒大小不同，禁带宽度随着浸泡时间的增大而减小，并确定了浸泡时间为40s，在80℃烘干下制备的Q-PbS的禁带宽度为1.68eV，其价带位置为-5.538 eV。修饰ITO／TiO₂电极可使光电流发生明显的红移，从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率。2)用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO／TiO₂／Q-CdS（Q代表quantum dots）膜电极的光电转换性质。结果表明，由于量子尺寸效应的结果，浸泡时间为60s，在80℃烘干下制备的Q-CdS的禁带宽度由块体的2.42 eV被拓宽到2.51 eV，其价带位置为—6.168 eV。研究还发现Q-CdS修饰ITO／TiO₂电极可使光响应范围发生明显的红移，从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率。3)通过对PMeT修饰Q-PbS连接TiO₂纳米结构膜的研究表明，PMeT和Q-PbS单独修饰纳米结构TiO₂电极和PMeT修饰Q-PbS连接纳米结构TiO₂电极的光电流产生的起始波长都向长波方向移动；在可见光区光电转换效率均较纳米结构TiO₂的光电转换效率有明显的提高；PMeT与Q-PbS修饰的纳米结构TiO₂之间存在p-n异质结。在一定条件下p-n异质结的存在有利于光生电子／空穴的分离，提高了光电转换效率。4)通过对PMeT修饰Q-CdS连接TiO₂纳米结构膜的研究表明，PMeT和Q-CdS单独修饰纳米结构TiO₂电极和PMeT修饰Q-CdS连接纳米结构TiO₂电极的光电流产生的起始波长都向长波方向移动；一定条件下在可见光区光电转换效率均较纳米结构TiO₂的光电转换效率有明显地提高：聚3-甲基噻吩（PMeT）与Q-CdS连接的纳米结构TiO₂之间存在p-n异质结。在一定条件下p-n异质结的存在有利于光生电子／空穴的分离，提高了光电转换效率。5)用光电化学方法研究了PMeT修饰Q-CdS、Q-PbS连接TiO₂纳米结构膜，实验结果表明，PMeT和Q-CdS，Q-PbS单独修饰纳米结构TiO₂电极和PMeT修饰Q-CdS、Q-PbS连接纳米结构TiO₂电极的光电流产生的起始波长都向长波方向移动；一定条件下在可见光区光电转换效率均较纳米结构TiO₂的光电转换效率有明显的提高；聚3-甲基噻吩（PMeT）与Q-CdS、Q-PbS连接的纳米结构TiO₂之间存在p-n异质结。在一定条件下p-n异质结的存在有利于光生电子／空穴的分离，在本文实验条件下PMeT修饰Q-CdS、Q-PbS连接纳米结构TiO₂电极最高的单色光的光电转换效率分别为11％和7％。