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由于纤锌矿材料中存在着较强的内建电场,本文在考虑内建电场的影响下,运用有限差分法计算了基态和激发态的能量本征值和本征波函数.并利用密度矩阵原理研究了纤锌矿InxGa1-xN/GaN核壳量子点中杂质态的子带间光吸收性质.同时讨论了杂质、内建电场、混晶组分、核半径、入射光强和弛豫时间对光吸收性质的影响.通过分析可得以下结果:当杂质中心存在时,跃迁能显著增大,线性、非线性及总的光吸收系数和折射率变化的共振峰均向光子能量较高的方向移动.并且,In组分x的增加会使线性、非线性及总的光吸收系数和折射率变化的共振峰发生明显的蓝移,与此同时混晶组分的增大会使总的光吸收系数的振幅增大,而总折射率变化的振幅则会随之减小.在量子点尺寸方面,核半径的增加会导致线性、非线性及总的光吸收系数和折射率变化的共振峰发生一个明显的红移.而且核半径的增加对一阶线性光吸收系数振幅的影响不明显,但三阶非线性光吸收系数和折射率变化的振幅却会随着核半径的增加而增加.因此总的光吸收系数会随着核半径的增加而减小.此外,当入射光强I和弛豫时间τ超过某一临界值时,总的光吸收系数的共振峰会发生劈裂并且总折射率变化的共振峰会在零值附近出现次峰,而导致以上情况出现的主要原因是光吸收系数和折射率变化的共振峰出现了饱和现象.并且这一现象会随着I和τ的增大变得愈加明显.同时我们还发现,杂质存在时总的光吸收系数和折射率变化的共振峰达到饱和需要更大的入射光强.当考虑内建电场时,跃迁能显著增大,线性、非线性及总的光吸收系数和折射率变化的共振峰均发生了蓝移.与此同时,In组分x的增加会导致线性、非线性及总的光吸收系数和折射率变化的共振峰向光子能量较高的方向移动.并且In组分的增大会引起总光吸收系数振幅的增大,同时也会引起总折射率变化振幅的减小.而在量子点尺寸方面,核半径的增加会导致线性、非线性及总的光吸收系数和折射率变化的共振峰发生一个明显的红移.并且随着核半径的增加,一阶线性、三阶非线性光吸收系数以及折射率变化的振幅均会增大,但总光吸收系数的振幅会随核半径的增大而减小.此外,当入射光强I和弛豫时间τ超过某一临界值时,总光吸收系数的共振峰会发生劈裂,且总折射率变化的共振峰会在零值附近出现次峰,其主要原因是光吸收系数和折射率变化的共振峰出现了饱和现象.并且这一现象会随着I和τ的增大变得愈加明显.我们还发现在考虑内建电场后,总的光吸收系数和折射率变化的共振峰达到饱和时所需要的入射光强要更大.