硫系材料由于其高非线性折射率、高光敏性和跨越可见光的特殊传输范围而被广泛用于中红外（MIR）光谱成像、生物医学技术、遥感和激光等领域。近年来,它们还被广泛应用于平面波导领域,并制备成高密度集成的多功能光子器件。然而,先前的器件制备是从上到下的,受到光刻技术的限制,因而难以实现高密度集成。纳米线因其纳米级尺寸而具有良好的伸缩性能、较大的比表面积和完整的晶格结构。这种结构优势使得探索材料微缩性能以及解决器件高密度集成问题成为可能。本文通过VLS机制制备了Ge-Sb-Se纳米线,并系统地研究了纳米线生长条件对纳米线形貌、微结构的影响,包括下游区温度、载气流速和衬底与源之间的距离等,并探索了Ge-Sb-Se纳米线在光学存储方面的潜力。具体结果如下:1.Ge-Sb-Se纳米线的生长条件优化。通过气-液-固（VLS）生长机理制备了Ge-Sb-Se纳米线,优化出了Ge-Sb-Se纳米线的生长条件,即衬底与源之间的距离为7-11 cm、载气流速在100 sccm、下游区温度在350-380 ^o C、上游区温度在540-580 ^o C。合金液滴中的过饱和度是影响纳米线形貌的主要因素。当合金液滴中的过饱和度过高时,合金液滴往往向大尺度的纳米晶体方向生长;当过饱和度过低时,合金液滴倾向于生长成层层堆叠的纳米晶片;只有当合金液滴中的过饱和度适当的时候才有利于纳米线的生成。2.Ge-Sb-Se纳米线微结构的表征。生长在衬底上的纳米线样品,主要存在Sb₂Se₃、GeSe₂、Ge和Se等晶相。纳米线中Ge、Sb和Se的元素分布为:Ge和Sb元素均匀地分布在整根纳米线上,而Se元素仅分布在纳米线轴附近一个相对较窄的区域中。纳米线沿着（111）方向生长,并且Ge晶相晶格间距d为0.331 nm,与具有金刚石结构的（111）晶面的晶面间距d相匹配。3.探索了Ge-Sb-Se纳米线在光学存储方面的应用潜力。对制得的纳米线样品进行了激光烧蚀实验。随着激光诱导功率的增加（范围在0.5 W到1.0 W）,在115 cm^-1、153 cm^-1和192 cm^-1处的拉曼峰强度逐渐减小。当激光功率增加到0.7 W的时候,对应的拉曼光谱与Ge-Sb-Se玻璃的拉曼光谱一致,表明Ge-Sb-Se纳米线从晶态转变到了非晶态。这表明Ge-Sb-Se纳米线在激光诱导下可实现相变,这为后续其在光学存储器件中的应用提供了参考价值。