一种1A/35V单片H桥功率驱动IC的设计

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智能功率集成电路(SPIC)的出现对提高系统的可靠性,降低其成本、重量和体积,实现汽车、工业、通讯等领域中系统的小型化、智能化有着重要的意义。本文设计了一种可广泛应用于低压、大电流、中等功率直流和步进电机驱动、位置与速度伺服系统、工业机器人、各种数控设备、打印机和绘图仪等控制应用中的SPIC 电路—1A/35V 单片H 桥功率驱动IC。其设计指标要求为:电路可控额定最高电压(V(max))为35V,最大输出峰值电流(I(max))为3A,连续最高工作频率(f(max))为300KHz,功率DMOS输出晶体管的导通电阻(RDS(ON))仅为0.3?。同时还具有过热、过流、欠压等保护功能。在电路设计中,作者分析了H 桥功率驱动器的基本原理,设计了驱动电路的总体结构。电流检测技术是SPIC 中一项重要技术,针对本文采用SENSEFET功率开关,作者设计了一种基于电压镜原理的电流检测电路,实现了对高端功率管按照(2000:1)的比例进行电流检测,通过将检测电流外接一个电阻转化为电压信号来反馈控制电机的转速和位置。功率器件和高低压兼容(BCD)工艺的设计是SPIC 设计中的关键。针对本项目的要求,作者采用了带电流检测端的正六角形元胞结构的VDMOS 功率器件,并采用了漏端从表面引出(UP—DRAIN)技术。其中对功率器件的导通电阻进行了详细的分析和优化设计。在以双极工艺为主的BiCMOS 工艺的基础上,参考了国际上流行的BCD 工艺,并结合本电路的特殊性,设计了低压大电流H 桥功率驱动集成电路的高低压兼容工艺。并对版图设计、验证方面也做一定的介绍。完成了首次工艺投片试验并进行了单管性能的测试,测试结果表明器件参数满足设计指标。
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