随着电磁辐射应用越来越广泛，太赫兹技术在近年来受到许多研究人员的关注。目前，太赫兹技术研究的重点在于提高辐射源和探测器的性能。肖特基二极管具有速度快、良好的非线性效应、能够在常温下工作和容易集成等优点，所以常被用作太赫兹探测器中的混频器和检波二极管。传统GaAs肖特基二极管的频率虽然能够达到太赫兹频段，但输出功率太低阻碍了太赫兹技术的发展。氮化镓（GaN）材料是新一代宽禁带半导体材料，凭借着大功率优势成为研究的热点，因此GaN基肖特基二极管的研究对太赫兹技术的发展有着重要的意义。在传统的SBD器件结构中，因为GaN的电子迁移率远低于GaAs的电子迁移率，所以很难通过工艺的方法降低二极管串联电阻RS，使得 GaN基SBD最高截止频率明显低于GaAs基SBD。因此必须采用新的器件结构提高GaN基SBD的截止频率，本文研究的重点是基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的肖特基二极管。AlGaN/GaN异质结的引入，可以利用二维电子气中的高电子迁移率降低沟道电阻，提高二极管的截止频率。异质结多沟道结构由多个异质结组成，能够为二极管的电流提供多个通道，进一步降低导通电阻，提高截止频率。　　本研究主要内容包括：⑴对基于GaN材料、AlGaN材料和AlGaN/GaN异质结的肖特基二极管的静态特性、反向击穿电压和截止频率进行研究。通过分析得出以下结论：掺杂能够提高GaN基SBD的正向导通电流，但是会降低电子迁移率（GaN材料中的电子迁移率远小于GaAs），所以需要找到新的方法降低串联电阻；同等掺杂时AlGaN SBD正向电流远小于GaN SBD，原因是AlGaN材料的亲和能远小于GaN，所以AlGaN SBD的肖特基势垒高度比GaN SBD高出很多；通过降低AlGaN SBD中的Al组分可以起到降低开启电压，增大正向电流的作用；和 AlGaN SBD相比，AlGaN/GaN单异质结SBD具有更小的串联电阻；此外，异质结界面电荷的存在会使二极管的反向击穿电压下降。分别计算传统结构GaN肖特基二极管和AlGaN/GaN单异质结肖特基二极管的截止频率得出，异质结结构可以降低串联电阻、提高二极管的截止频率。⑵研究了AlGaN/GaN异质结多沟道SBD的沟道数变化，势垒层Al组分变化，势垒层和沟道层厚度变化对器件直流特性的影响。然后，利用之前仿真出的IV曲线提取异质结多沟道SBD的串联电阻，计算出AlGaN/GaN异质结多沟道SBD的截止频率。经过计算得出，和传统结构的GaN肖特基二极管相比，异质结多沟道SBD的串联电阻有所下降，二极管的截止频率明显提高。随后基于前面仿真的结果，总结AlGaN/GaN异质结多沟道SBD的参数优化、结构改善的建议，介绍极化掺杂的概念，提出将基于AlGaN/GaN异质结FESBD中的双金属阳极结构引入到AlGaN/GaN异质结多沟道SBD中提高反向击穿电压降低开启电压的可能性。给出了一种基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的太赫兹肖特基二极管的制造流程。