高功率输能窗的射频击穿是对微波源乃至整个真空系统的稳定工作影响最大的因素,输能窗的射频击穿往往由窗片表面二次电子倍增效应激发。因此,开展高功率输能窗二次电子倍增效应的研究有重要的现实意义和研究价值。本文研究了对圆波导输能窗内的二次电子倍增效应,分析了影响二次电子倍增的关键因素,分析了谐振磁场对盒型窗二次电子倍增效应的抑制作用。（1）建立了TE₁₁模作用下圆波导窗内的二次电子倍增的模拟模型,通过蒙特卡洛算法跟踪电子轨迹。理论分析及模拟表明,电子沿z轴方向的纵向速度,是维持窗片表面二次电子倍增效应的主要原因。研究表明,圆波导窗内对二次电子倍增效应受窗片半径、场频率、极化方式和反射波的影响。当增大窗片半径或者减小场频率都会加剧二次电子倍增效应。而且,与使用相同参数的线极化TE₁₁模相比,圆波导窗内传输圆极化TE₁₁模时会导致更剧烈的二次电子倍增。另外,圆波导窗内反射波的也会影响二次电子倍增。通过控制变量的方式,分别对这些影响因素逐一展开模拟仿真研究发现当通过改变这些影响因素来增加能量输出窗的功率容量时,需要充分考虑二次电子倍增的影响。（2）建立了盒型窗内部的二次电子倍增的模型,研究了谐振磁场对二次电子的抑制作用。通过推导三个方向下的外加直流磁场作用时电子的运动方程,并跟踪电子云雪崩变化,发现谐振磁场在三个方向上都不能对盒型窗表面的二次电子倍增产生抑制效果。为了分析该结论,研究了正交场混合模(TE₁₁+TM11)作用下,外加直流磁场对抑制二次电子倍增作用。分别拟合了在x和y方向上的二次电子倍增敏感区域图。模拟结果表明,当谐振磁场分别垂直于切向电场和法向电场时,当法向电场比切向电场滞后π/2时,随着Ez/的增加,二次电子倍增区域沿y轴的负方向移动,并且敏感区域的面积也在缩小;当法向电场比切向电场超前π/2时,将出现两个敏感区域,且其中一个很强的敏感区域面积狭窄随着正交电场的增加而增加。当谐振磁场平行于切向电场时,Ez/f的增加会抑制倍增,Ey/f的增加会加剧倍增。