本文工作采用气固法成功制备了Bi2Te3和Bi2Se3的三角形和六边形的纳米薄片和Bi2Te3-Bi2Se3的异质结构。纳米薄片的横向长度可达20 μm以上,最薄厚度可达6nm；异质结构仍为三角形和六边形,Bi2Se3内嵌在Bi2Te3纳米薄片中。采用同样的思路,利用Bi2Te3和Bi2Se3的混合源,产物将会变成三元的拓扑绝缘体材料BTS。作者利用电磁感应炉把熔点为1857.0℃的Cr蒸发出来,作为Cr源,用以生长含Cr的BTS薄膜。作者制作了四电极纳米结构器件并进行了低温输运测量。测量结果证实拓扑绝缘体纳米薄片中的弱反局域化效应。作者利用HLN公式去拟合弱反局域化的数据可以得到代表着通道数的α和相位相干长度。α随温度的升高而增加,这意味着退耦合现象的发生。Bi2Se3中的输运可以用表面体相散射弛豫时间τSB相位相干时间τφ之间的竞争机制来解释,而BTS中的结果要用体相调控两表面模型来解释。