【摘 要】
：
高压功率集成电路的设计与制造因其具有一定的高技术难度而极具挑战性.其中的关键之一是功率HVLDMOS的相容工艺设计.由于LDMOS的电极均位于芯片表面,易于通过内部连接实现与
论文部分内容阅读
高压功率集成电路的设计与制造因其具有一定的高技术难度而极具挑战性.其中的关键之一是功率HVLDMOS的相容工艺设计.由于LDMOS的电极均位于芯片表面,易于通过内部连接实现与低压信号电路及其它器件的单片集成,它的结构设计的正确与否将会影响到整个功率集成电路的性能.本文首先研究了LDMOS的工作特点以及在进行结构设计中采用的两种终端技术-场板技术和RESURF技术;阐述了器件模拟和工艺模拟的基本知识并且介绍了本文主要运用的设计工具-器件模拟软件MEDICI.完成了外延结构LDMOS的击穿电压和导通电阻的优化设计,性能指标可望达到高压功率集成电路的要求;提出了一种改进的单晶结构LDMOS,作者通过器件模拟软件MEDICI仿真分析了P型反型层与漏端间距L<,p>对器件耐压的影响,并给出了相应物理意义上的分析,结果表明,L<,p>对器件耐压的影响很明显;完成了外延结构LDMOS的工艺设计,并给出了其工艺流程;系统地研究了LDMOS一些重要电学参数的高温特性,得到的一些对于HVPIC的应用很重要的数据.
其他文献
光的衍射是一种很有应用价值的物理现象,而亚波长微结构光栅具有一些常规光栅没有的独特衍射性质.由于亚波长微结构光栅的特征尺寸与波长相近,所以在研究它的性质的时候,必须
该文主要内容包括以下几个方面.首先,我们讨论了玻色-爱因斯坦凝聚体(BEC)的相位控制.目前由弱耦合双组分BEC所构成的玻色约瑟夫森结(BJJ)成为研究热点,在平均场理论基础上预
自从杨振宁[1]和R.J.Baxter[2]分别于1967年与1972年创建了量子杨-巴克斯特方程[3][4][5]以来,量子可积模型[6][7][8][9]方面的研究取得了很大进展,特别是V.G.Drinfeld[10][1
利用LB技术来构造纳米结构有序功能体系，以发展各种应用于高新技术领域的新型高性能纳米结构材料，已成为LB技术发展的主要方向。为了研究膜结构对其组装功能的影响，科学家近期对
无序材料是自然界存在最广的一种材料,近年来,由于无序材料在实际应用中显示出广阔的应用前景,不具有周期结构的无序体系已成为凝聚态物理、材料科学一个重要的方向,特别是对
本文对用于惯性约束聚变中的莫尔光栅、自支撑金透射光栅和多层介质膜脉宽压缩光栅的制作工艺进行了较为系统的研究,而用于惯性约束聚变中的其它类型光栅如取样光栅、色分离
功率VDMOSFET是功率电力电子器件的主流产品之一.它在大功率开关、功率放大器等领域中的应用日益广泛.VDMOSFET具有高输入阻抗,低导通电阻,大输出电流,开关速度快,工作频率高
本文对简单系统非平衡态的概率分布进行了研究。随着热力学和统计学的不断发展，人们对于处于平衡态的系统研究理论已经日渐成熟，在此基础上，系统非平衡态的研究也越来越普遍和注
紫外线(UV)同可见光一样是一种电磁波.但是,紫外线的频率范围刚好高于可见光,其波长完全不在人类可视范围之内.紫外线根据其波长可分为三类:UV-A、UV-B和UV-C.UV-A(315nm
粒子鉴别是物理分析中重要的组成部分,作为北京谱议(BESII)数据分析中粒子鉴别最重要的两个部分-TOF和dE/dx,其测量值的无偏性、良好的分辨率以及精确的模拟,是良好物理结果