近年来,硅通孔（TSV）技术作为电子封装应用得到广泛关注,但大长径比通孔中的金属均匀填充是该技术需要解决的一大难题。研究大长径比硅通孔孔道中的金属电化学沉积行为有助于加深对该难题的认识,对微米孔道中金属均匀填充问题的解决具有重要的意义。本文采用光电化学腐蚀技术制备大长径（>50）硅微孔阵列（多孔硅）模板,随后利用三电极体系,以0.22 mol/L的CuSO₄溶液为电解液,采用恒压脉冲方式在孔道中沉积了金属铜。研究了腐蚀电压、腐蚀液配比和腐蚀时间对多孔硅尺寸和形貌的影响规律及沉积电压、导电基底厚度和硅为空阵列结构对微孔内金属铜电化学沉积行为的影响规律,主要研究工作和结果如下:（1）采用掩膜技术,利用HF缓冲液和KOH溶液作为腐蚀液,制备出可编码多孔硅预制坑,确定出较佳的工艺参数;HF缓冲液的溶液配比为:HF溶液（49 wt%、14mL）、NH₄F（30 g）和H₂O（50 mL）混合溶液。KOH溶液浓度为30 wt%,腐蚀温度为80℃,腐蚀时间为40 min。（2）分别采用LED灯和卤素灯为光源,制备了大长径比多孔硅阵列模板。研究了腐蚀电压、腐蚀液配比和腐蚀时间对多孔硅阵列形貌的影响。当选用LED灯为光源时,在腐蚀电压为0.3 V、HF:C₂H₅OH:H₂0=20:140:20（体积比）条件下,可以制备出的孔壁光滑,阵列整齐的多孔硅孔道,其长径比约20左右。当选用卤素灯为光源时,在腐蚀电压为1.3 V、HF:C₂H₅OH:H₂O=20:140:20（体积比）条件下,可以制备直径均匀、结构整齐、长径比更大的多孔硅阵列,长径比到达52左右。（3）采用电化学沉积技术,在不同长径比多孔硅孔道模板中电沉积金属铜,探究了沉积电压、导电基底厚度和孔道直径对微米孔道中金属铜电化学沉积行为的影响,并对不同微结构形貌形成做了初步分析。结果表明:随着沉积电压的增加,孔道中铜沉积物形貌呈现出树枝状、棒状、多孔状结构;随着基底厚度的增加,铜沉积物形貌呈现出树枝状和棒状结构;随着孔径直径的增加,铜沉积物形貌呈现出树枝状结构和棒状结构。通过光电化学腐蚀技术成功制备出大长径比（>50）多孔硅模板,初步探究了孔道中沉积条件对铜微结构形貌影响规律,同时对铜在大长径比微米孔道中的沉积行为进行了初步分析,为TSV（硅通孔）技术和微米尺度可控编码金属阵列研究提供了一些基础。