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近年来,铁磁性薄膜的电输运性质备受人们的青睐。平面霍尔效应源于自旋轨道耦合作用,是磁电阻的横向效应,在磁传感器、磁随机存储器和逻辑器件等新型自旋电子学器件中有巨大的应用前景。同时,平面霍尔效应对磁矩的变化十分灵敏,可以作为表征磁畴钉扎、磁化翻转和磁各向异性等磁学现象的一种研究手段。因此,研究铁磁性薄膜的平面霍尔效应具有一定的实际应用潜力和学术价值。本论文通过磁控溅射沉积了 Fe80Ni20-O薄膜。我们系统研究了薄膜的表面形貌、微观结构、静态磁学性质和电输运特性,探究了调控薄膜的磁各向异性的方法、测量了薄膜的平面霍尔效应以及表征面内磁化过程,主要研究内容如下:(1)我们通过倾斜溅射方法,在仅旋转基片且无诱导磁场的条件下制备了一系列不同薄膜厚度和不同倾斜溅射角度的Fe80Ni200-O薄膜。研究结果表明Fe80Ni20-O薄膜具有面内单轴磁各向异性,且薄膜磁各向异性在0～100 Oe范围内自由可控。随薄膜厚度的增加,薄膜的单轴磁各向异性场逐渐增加,但矫顽力呈现先减小后增加再减小的规律。随薄膜倾斜溅射角度的增加,薄膜的单轴磁各向异性场逐渐增加,矫顽力也逐渐增加。(2)系统研究了外加磁场和电流对于Fe80Ni20-O薄膜的平面霍尔效应的影响。平面霍尔电阻曲线不同外加磁场随样品旋转角度变化和不同样品方向随外加磁场变化表明,薄膜磁化过程是磁各向异性和外加磁场竞争的结果。此外,电流的大小与方向对于平面霍尔效应没有明显的影响。(3)我们基于Stoner-Wohlfarth模型和面内旋转磁化分量方法,提出可以利用平面霍尔效应研究具有面内单轴磁各向异性Fe80Ni20-O薄膜的面内磁化过程。另外,我们用制备的60nm Fe80)Ni20-O薄膜进行验证,实验结果表明利用平面霍尔效应预测的磁化过程和VSM磁性测量结果吻合的很好。