论文部分内容阅读
氧化锌(ZnO)作为一种Ⅱ-Ⅵ族直接宽禁带(3.37 eV)半导体材料,室温下其激子束缚能高达60 meV,约为GaN(25 meV)的两倍,具有优良的光电特性;而且氧化锌还具有原材料丰富、无毒等优点。因此,Zn O在发光二极管、气敏元件、紫外探测器等短波长光电器件以及透明电极等领域具有广泛的应用前景。为了实现ZnO的器件化,首先需要解决的是ZnO的p型导电问题。为获得p型ZnO,常采用施主元素Al、Ga、In与受主元素共掺杂,其中由于In~(3+)半径与Zn~(2+)半径最接近,In的电负性最大,