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随着半导体工业技术的发展,集成电路芯片上能够容纳元器件的数目越来越多,根据摩尔定律,芯片上器件的尺寸必然会不断减小,导致线宽(又称“关键尺寸”)成为影响元器件电气性能的重要因素。对线宽的测量和溯源已经成为纳米计量领域的一个难题。光学显微镜具有非接触、分辨率高、测量速度快等优点,在纳米计量领域内得到了广泛应用,不过衍射极限制约着光学显微镜的分辨率,导致无法实现对线宽的准确测量。本文依托国家科技支撑课题“紫外光学二维微纳几何结构标准装置及标准物质的研究(NO.2011BAK15B01)",就计量型紫外光