本工作分别采用热蒸发技术和螺旋波等离子体辅助射频溅射技术研究了一维ZnO纳米线和二维ZnO量子阱结构的制备过程。对一维ZnO纳米线,通过扫描电子显微镜、X射线能谱、X射线衍射等技术对所制备样品的结构、成分以及晶态特征进行了表征。探讨了纳米线的生长机制及其光致发光特性。对二维ZnO量子阱结构,在采用原子力显微镜和X射线衍射等技术对ZnO外延薄膜和MgxZn1-xO薄膜的表面结构、薄膜外延特性进行分析的基础上,利用光致发光谱和激发谱技术对MgZnO／ZnO／MgZnO量子阱光吸收及发光特性进行了研究。研究结果表明：(1)ZnO纳米线结构的生长满足气液固生长机制,且呈现纳米线顶端生长模式。通过蒸发源中C与ZnO的比例控制可以实现纳米ZnO结构的调整,质量比为1：10时有利于纳米线的生成,1：6时可得到ZnO纳米网状结构,纳米ZnO主要呈现峰位在375nm的紫外发光；(2)采用等离子体辅助溅射技术能够在较低的衬底温度下实现高质量的ZnO薄膜外延生长,然而,较高的衬底温度所引起的表面反应变化不利于薄膜中的氧空位及锌填隙等缺陷的减少。(3)MgxZn1-xO薄膜与纯ZnO薄膜相比,MgxZn1-xO薄膜的外延质量下降；随x值的增加,薄膜晶格常数逐渐减小,光学带隙逐渐增大。(4)MgZnO／ZnO／MgZnO量子阱的光致发光谱和荧光激发谱的实验结果表明,阱宽为1.6nm的ZnO量子阱在355nm处呈现较强的低温紫外发光,该量子限域发光主要产生于MgZnO垒层激发的载流子迁移到ZnO阱层的复合发光。